近日，中国科学院物理研究所在其官网宣布，已成功研制出单一4H晶型的8英寸SiC晶体，晶坯厚度接近19.6 mm，同时加工出了厚度约2mm的8英寸SiC晶片，相关工作已申请了三项中国发明专利。

资料显示，碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有重要的应用潜力。

自2006年开始，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心先进材料与结构分析重点实验室陈小龙研究团队在国内率先开展了SiC单晶的产业化，成功将研究成果在天科合达转化。

通过产学研结合，先后成功研制出了4英寸(2010年)和6英寸(2014)SiC单晶，并且实现了4-6英寸SiC衬底的大批量生产和销售。2021年10月，陈小龙研究团队最终在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。

中国科学院物理研究所表示，8英寸SiC导电单晶研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展，研发成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力，促进我国宽禁带半导体产业的快速发展。